[收藏本页] [热点搜索] [帮助中心] [登录联盟]您好,欢迎访问快快酒店预订!

Gate-first HKMG工艺不行了?IBM技巧同盟成员造谣忙

所属栏目:【出行资讯】 作者:默认管理员 日期:2015-3-9 13:53:37 浏览:66次

  以ibm公司为首的芯片制作技术同盟,即globalfound扬声器连接器ries,三星风力充电器等公司组成的集团最近驳斥了有关该同盟在开发high-k+金属栅极(hkmg)工艺时碰到艰苦的传言。
 
风波的起因在于近日barclays的剖析师andrew lu的一份呈文,这份讲演指出:“hkmg技巧的目标在于减小栅极尺寸变小时的栅漏电量。”指出,在如何实现hkmg技术方面,业界分为两大流派,其一是intel,台积电为首的gate-last派,gate last工艺将天生金属栅极的工步放在漏源极高温退火工步之后。intel已经在其45nm制程上启用了这种工艺,目前的32nm则已经开端采取第二代hkmg技巧。不外台积电则还不采取hkmg工艺的产品上市。
 
比拟之下,以ibm公司为首的芯片制作技术联盟则猛攻gate-first工艺,这种工艺保持采用惯例方式,即栅极天生工步放在漏源极高温退火工步之前。不外目前为止该技术联盟仍未有hkmg产品大批上市。不过amd打算于明年上半年推出采用gate-first工艺制造的hkmg产品,amd的处置器目前由globalfoundries代工。
 
不过这份报告同时声称:“gate-first营垒最近在开发hkmg工艺进程中好像碰到了一些问题。因为gate-first工艺中金属栅极需禁受高温工步,因而这种工艺对栅极资料的热稳固性有较高请求,很轻易呈现管子门限电压增大的问题。”报告同时还称:“我们以为台积电在28nm hkmg工艺节点将获得当先。”
 
有关gate-first与gate-last工艺的具体差异,有兴致的读者可浏览这个链接。
 
不过,ibm技术联盟的成员之一globalfoundries随后很快对这份呈文进行了反驳。他们表现:“看来有些人仿佛还没有完整搞明白gate-first hkmg技术。因为我们是私有企业,因而我们个别不跟像barclay这样的公司有过多的接触,所以这类公司普通无奈从我们这里得到有关新技术的最新动向。实际上,我们在32nm hkmg工艺上的进展相称顺利,有关产品的门限电压值也没有如这份讲演所说的压力继电器与gate-last有很大的差别。我们今年晚些时候会开端在fab1工厂试产有关的产品照明灯电池。”大有叱责对方“不懂不要乱喷”的象征。
 
三星电子也造谣称:“假如大家都还记得的话,咱们早在今年6月份便发布了咱们的32nm低功耗hkmg工艺已经通过了全面验证,验证的进程包含1000颜色编码器小时的高温持久测试,经由测试后我们的产品不发明任何问题。”
 
这场风波中的双方毕竟孰对孰错,看来只有留待实际上市产品的机能来证实了。

商业区酒店